SIR4606DP-T1-GE3-CN

SIR4606DP-T1-GE3-CN

制造商零件编号
SIR4606DP-T1-GE3-CN
产品分类
Single FETs, MOSFETs
制造商
ChipNobo
描述
N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET DFN5*6
封装
DFN5*6
包装
Tape & Reel (TR)
制造商标准交期 :
1-2Weeks
ROHS状态
YES
数据表
替代型号
SIR4606DP-T1-GE3
现货
标准包装数量 : 5000
数量
单价
价格
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数量
单价
合计
5000
$0.0583
$291.5000
15000
$0.0571
$856.5000
35000
$0.0560
$1,960.0000
125000
$0.0549
$6,862.5000
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产品属性
类型 描述
制造商 ChipNobo
系列 -
包装 Tape & Reel (TR)
产品状态 ACTIVE
封装 DFN5*6
安装类型 Surface Mount
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型 N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs 18.5mOhm @ 4A, 10V
功耗（最大） 3.7W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA
制造商封装 DFN5*6
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 7.5V, 10V
Vgs（最大） ±20V
漏源电压 (Vdss) 60 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 13.5 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 540 pF @ 30 V