SIR670DP-T1-GE3-CN

SIR670DP-T1-GE3-CN

制造商零件编号
SIR670DP-T1-GE3-CN
产品分类
Single FETs, MOSFETs
制造商
ChipNobo
描述
MOSFET N-CH 60V 60A PDFN5X6
封装
PDFN5X6
包装
Tape & Reel (TR)
制造商标准交期 :
6-8Weeks
ROHS状态
YES
数据表
订单信息
标准包装数量 : 5000
数量
单价
价格
立即购买
数量
单价
合计
5000
$0.3519
$1,759.5000
15000
$0.2815
$4,222.5000
35000
$0.2252
$7,882.0000
125000
$0.1802
$22,525.0000
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产品属性
类型 描述
制造商 ChipNobo
系列 TrenchFET®
包装 Tape & Reel (TR)
产品状态 ACTIVE
封装 PDFN5X6
安装类型 Surface Mount
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型 N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
功耗（最大） 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id 2.8V @ 250µA
制造商封装 PDFN5X6
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
Vgs（最大） ±20V
漏源电压 (Vdss) 60 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 63 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 2815 pF @ 30 V